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電子陶瓷產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略目標和方向
日期:2022-04-21 10:46:39作者:百檢 人氣:0

 ?。ㄒ唬┛傮w思路


  進一步加大電子陶瓷材料及相關(guān)元器件的研發(fā)投入,重點突破電子陶瓷高端材料、先進加工工藝技術(shù)和裝備關(guān)鍵技術(shù),加速電子陶瓷材料與元器件全產(chǎn)業(yè)鏈的國產(chǎn)化和自主創(chuàng)新,形成相關(guān)技術(shù)的自主知識產(chǎn)權(quán)系統(tǒng)和技術(shù)優(yōu)勢;完善電子陶瓷材料成果產(chǎn)業(yè)化的機制,建立具有國際先進水平的電子陶瓷材料研發(fā)系統(tǒng)和生產(chǎn)基地,以及國際一流的元器件工藝制造基地。使我國在超薄型賤金屬內(nèi)電*MLCC及其鐵電陶瓷材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、低溫燒結(jié)高性能片式電感器(MLCI)及其鐵氧體材料產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、高性能壓電陶瓷及其新型元器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)、高儲能密度介電陶瓷材料及其工程化制備技術(shù)、微波介質(zhì)陶瓷產(chǎn)業(yè)化技術(shù)以及半導(dǎo)體陶瓷及敏感元器件產(chǎn)業(yè)化技術(shù)等若干領(lǐng)域達到國際*水平。


 ?。ǘ?zhàn)略目標


  面向信息技術(shù)等領(lǐng)域的迫切需求,進一步加大電子陶瓷技術(shù)的研究開發(fā)及其產(chǎn)業(yè)升級的扶植力度,突破困擾該產(chǎn)業(yè)技術(shù)進步的關(guān)鍵技術(shù),使我國在該領(lǐng)域的技術(shù)水平走進世界前列。力爭在2025年大部分水平與美國、日本接近,2035年成為全球高端電子陶瓷材料和元器件的主要來源地。


 ?。ㄈ┲攸c發(fā)展方向


  1.新一代電子陶瓷元件與材料


  重點突破量大面廣的無源電子元件,如MLCC、片式電感器、陶瓷濾波器的器件所需的高端電子陶瓷材料技術(shù),發(fā)展出擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的材料配方和規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù),形成穩(wěn)定的生產(chǎn)規(guī)模。重點突破高端電子陶瓷元件中材料精密成型和加工的關(guān)鍵工藝技術(shù)和裝備,保證薄型化多層陶瓷技術(shù)所需的關(guān)鍵納米陶瓷材料的自主穩(wěn)定供應(yīng),形成無源集成關(guān)鍵設(shè)備的自主研發(fā)和生產(chǎn)能力。


 ?。?)高性能、低成本MLCC材料與元件。加強高性能抗還原陶瓷介質(zhì)粉體材料及規(guī)?;a(chǎn);重點研發(fā)薄型化功能陶瓷成型技術(shù)與裝備,納米晶陶瓷燒結(jié)技術(shù),超薄型多層陶瓷結(jié)構(gòu)內(nèi)電*技術(shù)等。


 ?。?)新型片式感性元件與關(guān)鍵材料。加強高性能低溫燒結(jié)鐵氧體及低介低損耗陶瓷介質(zhì)粉體材料及規(guī)?;a(chǎn);研發(fā)多層陶瓷精密互聯(lián)技術(shù)及其裝備,小型化微波段片式電感器布線設(shè)計技術(shù)等。


  (3)高性能多層片式敏感元件與材料。重點研究高性能片式熱敏、氣敏、濕敏、壓敏、光敏陶瓷規(guī)?;a(chǎn)技術(shù),微納尺度多層片式敏感陶瓷傳感器制備工藝技術(shù)與表征技術(shù)等。


 ?。?)高性能壓電陶瓷材料。重點研究壓電陶瓷材料凈尺寸成型與加工及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù),壓電微型電源應(yīng)用的高性能多層壓電材料制備及產(chǎn)業(yè)化技術(shù),高性能多層無鉛壓電陶瓷材料和新型元件可工程化和產(chǎn)業(yè)化的先進制備技術(shù)。


 ?。?)新一代電磁波介質(zhì)陶瓷材料。面向5G/6G通信技術(shù)的新型電磁波介質(zhì)材料,重點研究片式高頻低損耗微波介質(zhì)陶瓷及其規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù),片式高性能低成本復(fù)合電磁波介質(zhì)陶瓷及其基礎(chǔ)材料的規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)及裝備,人工片式電磁波介質(zhì)的設(shè)計、制備與規(guī)?;a(chǎn)技術(shù)。


  2.無源集成模塊及關(guān)鍵材料與技術(shù)


  無源集成技術(shù)得以進入實用化和產(chǎn)業(yè)化階段,很大程度上取決于LTCC技術(shù)的突破。目前,雖然開發(fā)出了一些各具優(yōu)勢的無源集成技術(shù),但是主流技術(shù)仍以LTCC為主。一方面,優(yōu)化材料LTCC性能及制備方法,提高在國際高端應(yīng)用中的占比;另一方面,兼顧其他幾類無源集成技術(shù),研究開發(fā)相應(yīng)的關(guān)鍵材料、關(guān)鍵技術(shù)和重要模塊。


 ?。?)系列化LTCC用電磁介質(zhì)材料的研究。重點研究具有系列化介電常數(shù)和磁導(dǎo)率、滿足LTCC性能和工藝要求的陶瓷材料粉體和生產(chǎn)帶,形成我國在LTCC材料領(lǐng)域的自主知識產(chǎn)權(quán)。


  (2)無源集成模塊的關(guān)鍵制備工藝研究。重點研究無源集成模塊制備的若干關(guān)鍵性工藝過程,如厚膜與薄膜制備工藝、微孔成孔與注漿工藝、精密導(dǎo)體漿料印刷工藝、陶瓷共燒工藝等。


 ?。?)無源集成模塊設(shè)計與測試方法。研究內(nèi)容包括無源集成模塊設(shè)計軟件的開發(fā),新型無源集成結(jié)構(gòu)特性的模擬與仿真,高集成度無源集成模塊的設(shè)計,以及無源集成模塊的測試技術(shù)等。