電子束照射測試樣品時，會產(chǎn)生背散射電子、二次電子、吸收電子、透射電子、俄歇電子、特征X射線等物理信號。

　?。?）背散射電子的特征：

　　1)彈性背散射電子遠比非彈性背散射電子所占的份額多；

　　2)能量高，例如彈性背散射，能量達數(shù)千至數(shù)萬eV；

　　)背散射電子束來自樣品表面幾百nm深度范圍；

　　4)其產(chǎn)額隨原子序數(shù)增大而增多；

　　5)用作形貌分析、成分分析（原子序數(shù)襯度）以及結(jié)構(gòu)分析。

　　（2）二次電子的特征

　　1)二次電子能量較低。一般不超過50eV，大部分幾eV；

　　2)來自表層5—10nm深度范圍；

　　3)對樣品表面的狀態(tài)十分敏感，因此能有效地反映樣品表面的形貌；

　　4)其產(chǎn)額與原子序數(shù)間沒有明顯的依賴關(guān)系。因此，不能進行成分分析。

　?。?）吸收電子的特征：

　　1）與背散射電子的襯度互補。入射電子束射入一個多元素樣品中時，背散射電子較多的部位（Z較大）其吸收電子的數(shù)量就減少，反之亦然；

　　2）吸收電子能產(chǎn)生原子序數(shù)襯度，即可用來進行定性的微區(qū)成分分析。

　?。?）透射電子的特征：

　　1）透射電子信號由微區(qū)的厚度，成分和晶體結(jié)構(gòu)決定。

　　2）可配合電子能量分析器進行微區(qū)成分分析。即電子能量損失譜EELS。

　　（5）俄歇電子的特征：

　　1）各元素的俄歇電子能量值很低，50～1500eV；

　　2）來自樣品表面1—2nm范圍。其平均自由程很小（＜1nm），較深區(qū)域產(chǎn)生的俄歇電子向表面運動時必然會因碰撞損失能量而失去特征值的特點。因此，只有在距表面1nm左右范圍內(nèi)逸出的俄歇電子才具有特征能量。因此它適合做表面分析。

　　（6）特征X射線的特征：

　　特征：

　　1）用特征值進行成分分析；

　　2）來自樣品較深的區(qū)域。