壽命試驗(MTBF測試)是研究產(chǎn)品壽命特征的方法，這種方法可在實驗室模擬各種使用條件來進行。壽命試驗是可靠性試驗中*重要*基本的項目之一，它是將產(chǎn)品放在特定的試驗條件下考察其失效(損壞)隨時間變化規(guī)律。

通過壽命試驗MTBF測試，可以了解產(chǎn)品的壽命特征、失效規(guī)律、失效率、平均壽命以及在壽命試驗過程中可能出現(xiàn)的各種失效模式。如結(jié)合失效分析，可進一步弄清導(dǎo)致產(chǎn)品失效的主要失效機理，作為可靠性設(shè)計、可靠性預(yù)測、改進新產(chǎn)品質(zhì)量和確定合理的篩選、例行(批量保證)試驗條件等的依據(jù)。如果為了縮短試驗時間可在不改變失效機理的條件下用加大應(yīng)力的方法進行試驗，這就是加速壽命試驗。

通過壽命試驗MTBF測試可以對產(chǎn)品的可靠性水平進行評價，并通過質(zhì)量反饋來提高新產(chǎn)品可靠性水平。 在合適工作條件下器件使用壽命期內(nèi)的故障率很低。電子元器件的壽命，與工作溫度是有密切關(guān)系的。

以電腦主板上常用的也常出故障的電解電容器為例，其壽命會受到溫度的影響。因此，應(yīng)盡可能使電容器在較低的溫度之下工作，如果電容器的實際工作溫度超過了其規(guī)格范圍，不僅其壽命會縮短，而且電容器會受到嚴(yán)重的損毀(例如電解液泄漏)。壽命試驗(MTBF)方法分為定時截尾試驗，定數(shù)截尾試驗，估算方法為：平均壽命的點估計值、單側(cè)置信下限估計、雙側(cè)區(qū)間估計。

高溫工作壽命試驗 高溫壽命試驗為利用溫度及電壓加速的方法,藉短時間的實驗來評估IC產(chǎn)品的長時間操作壽命.一般常見的壽命實驗方法有BI(Burn-in) / EFR(Early Failure Rate) / HTOL(High Temperature Operating Life) / TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)，對于不同的產(chǎn)品類別也有相對應(yīng)的測試方法及條件，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRG(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test) / Intermittent Operation Life等。 低溫工作壽命試驗 低溫操作壽命試驗為利用低溫及電壓加速的方法，評估該組件于低溫環(huán)境操作下的壽命。